Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AO3419L_101
Herstellerteilenummer | AO3419L_101 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AO3419L_101 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AO3419L_101 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3419L_101 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AO3419L_101-FT |
2SK3353-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3367(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3386(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3402(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel