Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AO4435_201
Herstellerteilenummer | AO4435_201 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AO4435_201 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AO4435_201 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4435_201 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AO4435_201-FT |
2SK3484(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3703-1EX
ON Semiconductor
2SK3755-AZ
Renesas Electronics America
2SK3793-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3814(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3814(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3814(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel