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Microsemi Corporation APT1001R1BN

Name: APT1001R1BN
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT1001R1BN
Availability: InStock
Rating: 4.5 (172 reviews)

MFG-Teilenummer: APT1001R1BN

verfügbare Anzahl: 54520 Stücke

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT1001R1BN.pdf

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APT1001R1BN Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT1001R1BN
Zukünftige Teilenummer	FT-APT1001R1BN
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS IV®
APT1001R1BN Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	310W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247AD
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1001R1BN Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT1001R1BN-FT

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