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APT1001RBN Image

Microsemi Corporation APT1001RBN

MFG-Teilenummer
APT1001RBN
verfügbare Anzahl
36270 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APT1001RBN.pdf
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APT1001RBN Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT1001RBN
Zukünftige Teilenummer FT-APT1001RBN
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS IV®
APT1001RBN Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1001RBN Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT1001RBN-FT

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