Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT11GF120BRDQ1G
Herstellerteilenummer | APT11GF120BRDQ1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT11GF120BRDQ1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
APT11GF120BRDQ1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 25A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
Leistung max | 156W |
Energie wechseln | 300µJ (on), 285µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 65nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 7ns/100ns |
Testbedingung | 800V, 8A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT11GF120BRDQ1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT11GF120BRDQ1G-FT |
RJH1CM5DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F0DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F4DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH65T14DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
A1010B-PL68C
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68C
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C8
Intel
10AX027E3F29I2LG
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C4G
Intel
EP4CE30F29C7
Intel