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APT12M80B Image

Microsemi Corporation APT12M80B

MFG-Teilenummer
APT12M80B
verfügbare Anzahl
44130 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APT12M80B.pdf
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APT12M80B Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT12M80B
Zukünftige Teilenummer FT-APT12M80B
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 8™
APT12M80B Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 335W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247 [B]
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT12M80B Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT12M80B-FT

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