Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT15GP60BDQ1G
Herstellerteilenummer | APT15GP60BDQ1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT15GP60BDQ1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | POWER MOS 7® |
APT15GP60BDQ1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 56A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 65A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
Leistung max | 250W |
Energie wechseln | 130µJ (on), 120µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 55nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 8ns/29ns |
Testbedingung | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15GP60BDQ1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT15GP60BDQ1G-FT |
RJH60F4DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH65T14DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T46DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T47DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
XC2S50-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FGG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQG208I
Microsemi Corporation
XC7A200T-2SBG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K400EBC652-3
Intel
EP20K200EQC240-3
Intel