Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT15GP60BDQ1G
Herstellerteilenummer | APT15GP60BDQ1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-APT15GP60BDQ1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | POWER MOS 7® |
APT15GP60BDQ1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 56A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 65A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
Leistung max | 250W |
Energie wechseln | 130µJ (on), 120µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 55nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 8ns/29ns |
Testbedingung | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15GP60BDQ1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT15GP60BDQ1G-FT |
RJH60F4DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH65T14DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T46DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T47DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
EX128-TQG100A
Microsemi Corporation
XC7K160T-2FBG676C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
EP2AGX45CU17I3N
Intel
5SGXMA3H2F35I3LN
Intel