Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / APT17F80B
Herstellerteilenummer | APT17F80B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT17F80B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | POWER MOS 8™ |
APT17F80B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3757pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT17F80B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT17F80B-FT |
PMPB20XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB20XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB215ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB25ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB27EP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB29XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB29XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB33XN,115
Nexperia USA Inc.
PMPB40SNA,115
Nexperia USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation