Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT25GP90BDQ1G
Herstellerteilenummer | APT25GP90BDQ1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT25GP90BDQ1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | POWER MOS 7® |
APT25GP90BDQ1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 900V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 72A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
Leistung max | 417W |
Energie wechseln | 370µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 110nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 13ns/55ns |
Testbedingung | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT25GP90BDQ1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT25GP90BDQ1G-FT |
RJH65T47DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor
GPA040A120L-FD
Global Power Technologies Group
GPA040A120L-ND
Global Power Technologies Group
GPA042A100L-ND
Global Power Technologies Group
APT50GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT80GA60LD40
Microsemi Corporation
APT50GF120LRG
Microsemi Corporation
APT100GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
XC7K325T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
A3P250-2FGG144
Microsemi Corporation
ICE40LP384-CM36TR
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D7F31C8N
Intel
AT6002LV-4JC
Microchip Technology