Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT25GP90BDQ1G
Herstellerteilenummer | APT25GP90BDQ1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT25GP90BDQ1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | POWER MOS 7® |
APT25GP90BDQ1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 900V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 72A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
Leistung max | 417W |
Energie wechseln | 370µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 110nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 13ns/55ns |
Testbedingung | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT25GP90BDQ1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT25GP90BDQ1G-FT |
RJH65T47DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor
GPA040A120L-FD
Global Power Technologies Group
GPA040A120L-ND
Global Power Technologies Group
GPA042A100L-ND
Global Power Technologies Group
APT50GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT80GA60LD40
Microsemi Corporation
APT50GF120LRG
Microsemi Corporation
APT100GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
XC5VLX30-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1HG
Intel