Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT30GN60BDQ2G
Herstellerteilenummer | APT30GN60BDQ2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT30GN60BDQ2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
APT30GN60BDQ2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 63A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Leistung max | 203W |
Energie wechseln | 525µJ (on), 700µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 165nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 12ns/155ns |
Testbedingung | 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30GN60BDQ2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT30GN60BDQ2G-FT |
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D0DPM-00#T1
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RJH60D5DPM-00#T1
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RJH60D6DPM-00#T1
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RJH60D7DPM-00#T1
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RJP60D0DPM-00#T1
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RJP60F0DPM-00#T1
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RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
XCKU5P-1FFVB676E
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C6N
Intel
EP1K50FC256-1
Intel
EP3C10E144I7
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-1X
Intel