Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT30GP60B2DLG
Herstellerteilenummer | APT30GP60B2DLG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT30GP60B2DLG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
APT30GP60B2DLG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Leistung max | 463W |
Energie wechseln | 260µJ (on), 250µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 90nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 13ns/55ns |
Testbedingung | 400V, 30A, 5 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | T-MAX™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30GP60B2DLG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT30GP60B2DLG-FT |
RJH60D7DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60D7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJP65T43DPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F3DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ84
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17I7
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
EP3SL340F1760I4N
Intel
XC4VFX100-11FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176A
Microsemi Corporation
LFEC1E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation