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APT34F100B2 Image

Microsemi Corporation APT34F100B2

MFG-Teilenummer
APT34F100B2
verfügbare Anzahl
57360 Stücke
Referenzpreis
USD 15.4256
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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APT34F100B2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT34F100B2
Zukünftige Teilenummer FT-APT34F100B2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 8™
APT34F100B2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 305nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9835pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1135W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Paket / fall TO-247-3 Variant
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT34F100B2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT34F100B2-FT

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