Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / APT34F60BG
Herstellerteilenummer | APT34F60BG |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-APT34F60BG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | POWER MOS 8™ |
APT34F60BG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 34A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 624W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT34F60BG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT34F60BG-FT |
PMPB55ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEAX
Nexperia USA Inc.
APT5010LLLG
Microsemi Corporation
APT38F80L
Microsemi Corporation
APT12057LFLLG
Microsemi Corporation
APT44F80L
Microsemi Corporation
APT20M22LVRG
Microsemi Corporation
APT43F60L
Microsemi Corporation
APT31M100L
Microsemi Corporation