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Microsemi Corporation APT34N80B2C3G

Name: APT34N80B2C3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT34N80B2C3G
Price: 9.136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (524 reviews)

MFG-Teilenummer: APT34N80B2C3G

verfügbare Anzahl: 87750 Stücke

Referenzpreis: USD 9.136

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT34N80B2C3G.pdf

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APT34N80B2C3G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT34N80B2C3G
Zukünftige Teilenummer	FT-APT34N80B2C3G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
APT34N80B2C3G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	355nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4510pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	417W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	T-MAX™ [B2]
Paket / fall	TO-247-3 Variant
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT34N80B2C3G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT34N80B2C3G-FT

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