Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT35GP120B2DQ2G
Herstellerteilenummer | APT35GP120B2DQ2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APT35GP120B2DQ2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | POWER MOS 7® |
APT35GP120B2DQ2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 96A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 140A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
Leistung max | 543W |
Energie wechseln | 750µJ (on), 680µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 150nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 16ns/95ns |
Testbedingung | 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 Variant |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GP120B2DQ2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APT35GP120B2DQ2G-FT |
APT33GF120LRDQ2G
Microsemi Corporation
APT65GP60L2DQ2G
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APT75GN60B2DQ3G
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XA3S250E-4PQG208Q
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XC7S75-1FGGA484C
Xilinx Inc.
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5SGXEA7K2F40I3N
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5SGXEB5R3F40I3N
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EP4CE15E22C9LN
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XC7S6-2CSGA225C
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APA075-TQ100A
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LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35C4N
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