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Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Name: APT35GP120B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT35GP120B2DQ2G
Price: 17.36 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (768 reviews)

MFG-Teilenummer: APT35GP120B2DQ2G

verfügbare Anzahl: 58900 Stücke

Referenzpreis: USD 17.36

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS 7® IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT35GP120B2DQ2G.pdf

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APT35GP120B2DQ2G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT35GP120B2DQ2G
Zukünftige Teilenummer	FT-APT35GP120B2DQ2G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS 7®
APT35GP120B2DQ2G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	140A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 35A
Leistung max	543W
Energie wechseln	750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	16ns/95ns
Testbedingung	600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / fall	TO-247-3 Variant
Supplier Device Package	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT35GP120B2DQ2G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT35GP120B2DQ2G-FT

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