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Microsemi Corporation APT45GP120B2DQ2G

Name: APT45GP120B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT45GP120B2DQ2G
Price: 17.688 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (336 reviews)

MFG-Teilenummer: APT45GP120B2DQ2G

verfügbare Anzahl: 28120 Stücke

Referenzpreis: USD 17.688

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS 7® IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT45GP120B2DQ2G.pdf

APT45GP120B2DQ2G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT45GP120B2DQ2G
Zukünftige Teilenummer	FT-APT45GP120B2DQ2G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS 7®
APT45GP120B2DQ2G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	113A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	170A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 45A
Leistung max	625W
Energie wechseln	900µJ (on), 905µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	185nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	18ns/100ns
Testbedingung	600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / fall	TO-247-3 Variant
Supplier Device Package	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT45GP120B2DQ2G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT45GP120B2DQ2G-FT

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