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APT50M80B2VRG Image

Microsemi Corporation APT50M80B2VRG

MFG-Teilenummer
APT50M80B2VRG
verfügbare Anzahl
25080 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS V® MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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APT50M80B2VRG Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT50M80B2VRG
Zukünftige Teilenummer FT-APT50M80B2VRG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS V®
APT50M80B2VRG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 423nC @ 10V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8797pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Paket / fall TO-247-3 Variant
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT50M80B2VRG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT50M80B2VRG-FT

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