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Microsemi Corporation APT56M60B2

Name: APT56M60B2
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT56M60B2
Price: 11.533336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (457 reviews)

MFG-Teilenummer: APT56M60B2

verfügbare Anzahl: 25820 Stücke

Referenzpreis: USD 11.533336

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT56M60B2.pdf

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APT56M60B2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT56M60B2
Zukünftige Teilenummer	FT-APT56M60B2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS 8™
APT56M60B2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	280nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11300pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1040W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247 [B]
Paket / fall	TO-247-3 Variant
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT56M60B2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT56M60B2-FT

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