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APT60M80L2VRG Image

Microsemi Corporation APT60M80L2VRG

MFG-Teilenummer
APT60M80L2VRG
verfügbare Anzahl
95790 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS V® MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APT60M80L2VRG.pdf
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APT60M80L2VRG Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT60M80L2VRG
Zukünftige Teilenummer FT-APT60M80L2VRG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS V®
APT60M80L2VRG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 590nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13300pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 833W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package 264 MAX™ [L2]
Paket / fall TO-264-3, TO-264AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT60M80L2VRG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT60M80L2VRG-FT

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