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APT68GA60B2D40 Image

Microsemi Corporation APT68GA60B2D40

MFG-Teilenummer
APT68GA60B2D40
verfügbare Anzahl
11690 Stücke
Referenzpreis
USD 8.480136
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 8™ IGBT 600V 121A 520W TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APT68GA60B2D40.pdf
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APT68GA60B2D40 Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT68GA60B2D40
Zukünftige Teilenummer FT-APT68GA60B2D40
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 8™
APT68GA60B2D40 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 121A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 202A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Leistung max 520W
Energie wechseln 715µJ (on), 607µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 198nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 21ns/133ns
Testbedingung 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall TO-247-3 Variant
Supplier Device Package -
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT68GA60B2D40 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT68GA60B2D40-FT

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