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APT75GP120B2G Image

Microsemi Corporation APT75GP120B2G

MFG-Teilenummer
APT75GP120B2G
verfügbare Anzahl
18870 Stücke
Referenzpreis
USD 21.936
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 7® IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APT75GP120B2G.pdf
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APT75GP120B2G Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT75GP120B2G
Zukünftige Teilenummer FT-APT75GP120B2G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 7®
APT75GP120B2G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A
Leistung max 1042W
Energie wechseln 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 320nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/163ns
Testbedingung 600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall TO-247-3 Variant
Supplier Device Package -
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT75GP120B2G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT75GP120B2G-FT

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