Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / APT75GP120B2G

Microsemi Corporation APT75GP120B2G

Name: APT75GP120B2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT75GP120B2G
Price: 21.936 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (710 reviews)

MFG-Teilenummer: APT75GP120B2G

verfügbare Anzahl: 18870 Stücke

Referenzpreis: USD 21.936

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS 7® IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT75GP120B2G.pdf

APT75GP120B2G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT75GP120B2G
Zukünftige Teilenummer	FT-APT75GP120B2G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS 7®
APT75GP120B2G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	300A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 75A
Leistung max	1042W
Energie wechseln	1620µJ (on), 2500µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	320nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	20ns/163ns
Testbedingung	600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / fall	TO-247-3 Variant
Supplier Device Package	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT75GP120B2G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT75GP120B2G-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns