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APT9F100B Image

Microsemi Corporation APT9F100B

MFG-Teilenummer
APT9F100B
verfügbare Anzahl
14780 Stücke
Referenzpreis
USD 4.466384
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APT9F100B.pdf
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APT9F100B Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT9F100B
Zukünftige Teilenummer FT-APT9F100B
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 8™
APT9F100B Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2606pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 337W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247 [B]
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT9F100B Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT9F100B-FT

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