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Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G
- MFG-Teilenummer
- APTGT35DA120D1G
- verfügbare Anzahl
- 44330 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Microsemi Corporation
- Kurze Beschreibung
- - IGBT 1200V 55A 205W D1
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - IGBTs - Module
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- APTGT35DA120D1G.pdf
APTGT35DA120D1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | APTGT35DA120D1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-APTGT35DA120D1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| APTGT35DA120D1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 55A |
| Leistung max | 205W |
| Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / fall | D1 |
| Supplier Device Package | D1 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTGT35DA120D1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | APTGT35DA120D1G-FT |
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