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Microsemi Corporation APTM100DA18CT1G

MFG-Teilenummer
APTM100DA18CT1G
verfügbare Anzahl
58210 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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APTM100DA18CT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer APTM100DA18CT1G
Zukünftige Teilenummer FT-APTM100DA18CT1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 8™
APTM100DA18CT1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 570nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 657W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SP1
Paket / fall SP1
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100DA18CT1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APTM100DA18CT1G-FT

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