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Microsemi Corporation APTM100DSK35T3G

MFG-Teilenummer
APTM100DSK35T3G
verfügbare Anzahl
81180 Stücke
Referenzpreis
USD 46.76984
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
- MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APTM100DSK35T3G.pdf
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APTM100DSK35T3G Spezifikationen

Herstellerteilenummer APTM100DSK35T3G
Zukünftige Teilenummer FT-APTM100DSK35T3G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
APTM100DSK35T3G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Leistung max 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / fall SP3
Supplier Device Package SP3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100DSK35T3G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APTM100DSK35T3G-FT

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