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Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G

Name: APTM10DHM09T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM10DHM09T3G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (418 reviews)

MFG-Teilenummer: APTM10DHM09T3G

verfügbare Anzahl: 44110 Stücke

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS V® MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APTM10DHM09T3G.pdf

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APTM10DHM09T3G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APTM10DHM09T3G
Zukünftige Teilenummer	FT-APTM10DHM09T3G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS V®
APTM10DHM09T3G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	350nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9875pF @ 25V
Leistung max	390W
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	SP3
Supplier Device Package	SP3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10DHM09T3G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APTM10DHM09T3G-FT

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