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APTM120DA56T1G Image

Microsemi Corporation APTM120DA56T1G

MFG-Teilenummer
APTM120DA56T1G
verfügbare Anzahl
83580 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APTM120DA56T1G.pdf
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APTM120DA56T1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer APTM120DA56T1G
Zukünftige Teilenummer FT-APTM120DA56T1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
APTM120DA56T1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 672 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SP1
Paket / fall SP1
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120DA56T1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APTM120DA56T1G-FT

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