Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / APTM120SK56T1G

Microsemi Corporation APTM120SK56T1G

Name: APTM120SK56T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120SK56T1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (802 reviews)

MFG-Teilenummer: APTM120SK56T1G

verfügbare Anzahl: 41400 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APTM120SK56T1G.pdf

APTM120SK56T1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APTM120SK56T1G
Zukünftige Teilenummer	FT-APTM120SK56T1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
APTM120SK56T1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	672 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7736pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	390W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Supplier Device Package	SP1
Paket / fall	SP1
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120SK56T1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APTM120SK56T1G-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns