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APTM120U10SCAVG Image

Microsemi Corporation APTM120U10SCAVG

MFG-Teilenummer
APTM120U10SCAVG
verfügbare Anzahl
70770 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 7® MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
APTM120U10SCAVG.pdf
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APTM120U10SCAVG Spezifikationen

Herstellerteilenummer APTM120U10SCAVG
Zukünftige Teilenummer FT-APTM120U10SCAVG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 7®
APTM120U10SCAVG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 20mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 1100nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28900pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3290W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SP6
Paket / fall SP6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120U10SCAVG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APTM120U10SCAVG-FT

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