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Herstellerteilenummer | AS1C1M16P-70BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS1C1M16P-70BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
AS1C1M16P-70BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | PSRAM |
Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.6V ~ 3.3V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-VFBGA |
Supplier Device Package | 48-FBGA (6x7) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C1M16P-70BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS1C1M16P-70BIN-FT |
AT25256AW-10SU-1.8
Microchip Technology
AT25256AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SI
Microchip Technology
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SI-2.7
Microchip Technology
AT25DF161-SH-B
Microchip Technology
AT25DQ161-SH-T
Microchip Technology
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel