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Herstellerteilenummer | AS1C2M16P-70BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS1C2M16P-70BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
AS1C2M16P-70BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | PSRAM |
Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Speichergröße | 32Mb (2M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.6V ~ 3.3V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-VFBGA |
Supplier Device Package | 48-FBGA (6x7) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C2M16P-70BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS1C2M16P-70BIN-FT |
AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SI
Microchip Technology
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SI-2.7
Microchip Technology
AT25DF161-SH-B
Microchip Technology
AT25DQ161-SH-T
Microchip Technology
AT25HP256W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT25HP256W-10SI
Microchip Technology
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel