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Herstellerteilenummer | AS4C128M16D3LA-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C128M16D3LA-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C128M16D3LA-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-VFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3LA-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C128M16D3LA-12BCN-FT |
AT49F002T-12PI
Microchip Technology
AT49F002T-70PC
Microchip Technology
AT49F002T-70PI
Microchip Technology
AT49F002T-90PC
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AT49F002T-90PI
Microchip Technology
AT49F040-12PC
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AT49F040-12PI
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AT49F040-70PC
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AT49F040-70PI
Microchip Technology
AT49F040-90PC
Microchip Technology
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel