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Herstellerteilenummer | AS4C128M32MD2-18BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C128M32MD2-18BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C128M32MD2-18BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (128M x 32) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 134-VFBGA |
Supplier Device Package | 134-FBGA (10x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M32MD2-18BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C128M32MD2-18BINTR-FT |
AS7C3513B-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C4098A-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C4098A-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C4098A-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C4098A-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C4098A-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel