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Herstellerteilenummer | AS4C128M32MD2A-25BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C128M32MD2A-25BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C128M32MD2A-25BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (128M x 32) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 134-VFBGA |
Supplier Device Package | 134-FBGA (10x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M32MD2A-25BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C128M32MD2A-25BINTR-FT |
AS7C31026B-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-10JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel