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Herstellerteilenummer | AS4C16M16D1A-5TCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M16D1A-5TCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M16D1A-5TCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Supplier Device Package | 66-TSOP II |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16D1A-5TCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M16D1A-5TCN-FT |
AS7C256A-10JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCN
Alliance Memory, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel