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Herstellerteilenummer | AS4C16M16D1A-5TIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M16D1A-5TIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M16D1A-5TIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Supplier Device Package | 66-TSOP II |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16D1A-5TIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M16D1A-5TIN-FT |
AS7C256A-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel