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Herstellerteilenummer | AS4C16M16D2-25BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M16D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M16D2-25BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 84-TFBGA |
Supplier Device Package | 84-TFBGA (8x12.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16D2-25BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M16D2-25BINTR-FT |
MT41K1G8RKB-107:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-15E:M
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel