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Herstellerteilenummer | AS4C1G8MD3L-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C1G8MD3L-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C1G8MD3L-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 13.75ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (9x13.2) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C1G8MD3L-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C1G8MD3L-12BCN-FT |
MT41K256M8DA-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-15E:M
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P
Micron Technology Inc.
AS6C8008-55BIN
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel