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Herstellerteilenummer | AS4C256M16D3-12BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C256M16D3-12BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C256M16D3-12BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 4Gb (256M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-TFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (13x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3-12BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C256M16D3-12BIN-FT |
AS7C256A-12TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20TINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel