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Herstellerteilenummer | AS4C256M16D3B-12BAN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C256M16D3B-12BAN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C256M16D3B-12BAN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 4Gb (256M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-TFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (13.5x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3B-12BAN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C256M16D3B-12BAN-FT |
AT49F002N-70PC
Microchip Technology
AT49F002N-70PI
Microchip Technology
AT49F002N-90PC
Microchip Technology
AT49F002N-90PI
Microchip Technology
AT49F002NT-12PC
Microchip Technology
AT49F002NT-12PI
Microchip Technology
AT49F002NT-70PC
Microchip Technology
AT49F002NT-70PI
Microchip Technology
AT49F002NT-90PC
Microchip Technology
AT49F002NT-90PI
Microchip Technology
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel