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Herstellerteilenummer | AS4C256M16D3L-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C256M16D3L-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C256M16D3L-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 4Gb (256M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-TFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (13x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3L-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C256M16D3L-12BCN-FT |
AS7C3256A-10TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TINTR
Alliance Memory, Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel