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Herstellerteilenummer | AS4C2M32S-6BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C2M32S-6BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C2M32S-6BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM |
Speichergröße | 64Mb (2M x 32) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 2ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 90-TFBGA |
Supplier Device Package | 90-TFBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C2M32S-6BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C2M32S-6BIN-FT |
MT41K1G8RKB-107:N TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-125:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G4DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel