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Herstellerteilenummer | AS4C32M16D3-12BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C32M16D3-12BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C32M16D3-12BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-VFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16D3-12BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C32M16D3-12BIN-FT |
AT49F002NT-12PC
Microchip Technology
AT49F002NT-12PI
Microchip Technology
AT49F002NT-70PC
Microchip Technology
AT49F002NT-70PI
Microchip Technology
AT49F002NT-90PC
Microchip Technology
AT49F002NT-90PI
Microchip Technology
AT49F002T-12PC
Microchip Technology
AT49F002T-12PI
Microchip Technology
AT49F002T-70PC
Microchip Technology
AT49F002T-70PI
Microchip Technology
XC2S30-5VQ100C
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XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation