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Herstellerteilenummer | AS4C32M16D3L-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C32M16D3L-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C32M16D3L-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-VFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16D3L-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C32M16D3L-12BCN-FT |
AT49F002NT-70PC
Microchip Technology
AT49F002NT-70PI
Microchip Technology
AT49F002NT-90PC
Microchip Technology
AT49F002NT-90PI
Microchip Technology
AT49F002T-12PC
Microchip Technology
AT49F002T-12PI
Microchip Technology
AT49F002T-70PC
Microchip Technology
AT49F002T-70PI
Microchip Technology
AT49F002T-90PC
Microchip Technology
AT49F002T-90PI
Microchip Technology
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel