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Herstellerteilenummer | AS4C32M16MD1-5BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C32M16MD1-5BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C32M16MD1-5BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FPBGA (8x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MD1-5BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C32M16MD1-5BCN-FT |
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
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W631GG8KB12I TR
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W631GG8KB15I
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W631GG8KB15I TR
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W631GU8KB-12
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W631GU8KB-12 TR
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W631GU8KB-15
Winbond Electronics
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
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EP2AGX45DF25C6
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5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation