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Herstellerteilenummer | AS4C32M16MD1-6BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C32M16MD1-6BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C32M16MD1-6BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FPBGA (8x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MD1-6BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C32M16MD1-6BCN-FT |
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
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W631GG8KB12I TR
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W631GG8KB15I
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W631GU8KB-12
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W631GU8KB-15
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W631GU8KB-15 TR
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W631GU8KB12I
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XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel