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Herstellerteilenummer | AS4C4M32SA-6TIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C4M32SA-6TIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C4M32SA-6TIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM |
Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 2ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Supplier Device Package | 86-TSOP II |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C4M32SA-6TIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C4M32SA-6TIN-FT |
AS7C513B-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C513B-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096A-10JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C4096A-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096A-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096A-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096A-10JIN
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS7C34096A-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096A-12JIN
Alliance Memory, Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel