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Herstellerteilenummer | AS4C512M16D3L-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C512M16D3L-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C512M16D3L-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 8Gb (512M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 13.75ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-TFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (14x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M16D3L-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C512M16D3L-12BCN-FT |
AT49F002AT-55PI
Microchip Technology
AT49F002N-12PC
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AT49F002N-12PI
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AT49F002N-55PC
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AT49F002N-55PI
Microchip Technology
AT49F002N-70PC
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AT49F002N-70PI
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AT49F002N-90PC
Microchip Technology
AT49F002N-90PI
Microchip Technology
AT49F002NT-12PC
Microchip Technology
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel