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Herstellerteilenummer | AS4C512M8D3L-12BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C512M8D3L-12BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C512M8D3L-12BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (9x10.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3L-12BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C512M8D3L-12BINTR-FT |
AS4C32M16MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS1C4M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C8M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BIN
Alliance Memory, Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel