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Herstellerteilenummer | AS4C512M8D3LB-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C512M8D3LB-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C512M8D3LB-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (10.5x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3LB-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C512M8D3LB-12BCN-FT |
AS4C16M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel